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中芯的第二代FinFET已进入小量试产。科创板中芯在互动平台表示，公司FinFET14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFETN+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。此外，中芯方面还重申，目前公司营运和采购如常。其实去年11月就曾有消息称，中芯已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产精‌密‍设‌备‍搬‌运‍，且计划2019年年底前进行12nm FinFET的风险试产。按照中芯当时在2019年Q3季度财报公布的情况，公司FinFET已成功量产，四季度将贡献有意义的营收；第二代FinFET研发稳步推进，客户导入进展顺利。12nm工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。中芯2019第四季度财报会议上，梁孟松博士透露了中芯下一代“N+1”工艺的详细数据。梁孟松博士透露，中芯的下一代N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。所以在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，区别在于性能方面，N+1工艺的提升较小，市场基准的性能提升应该是35%。所以，中芯的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。前不久，中芯在互动平台上也表示，设‍备‌搬‍运‍目前公司正常运营，公司和美国相关政府部门等进行了积极交流与沟通。公司客户需求强劲，订单饱满，第三季度产能利用率接近满载。展望2020年全年，公司的收入目标上修为24%至26%的年增长。全年毛利率目标高于去年。恭喜中芯如需设备装卸搬运气垫车运输请联系亚瑟***1站式服务4000810031半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍