TEM电镜拆装搬运调试维修

TEM电镜拆装搬运调试维修的亚瑟报道：在之前召开的IEDM年度会议上，总共进行了六次小组讨论式的演讲。其中，由精‌密‍设‌备‍搬‌运‍的高级副总裁Myung‐Hee Na先生做的一个题为《Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials》的演讲意思。本篇精‌密‍设‌备‍搬‌运‍将逐个回顾演讲内容，由于演讲内容有不充分的地方，笔者为了读者易于理解，适当地补充了演讲内容。需要说明的是，虽然这是一个说明未来CMOS逻辑技术的讲座，但当中却省略了数个基本的前提：精‌密‍设‌备‍搬‌运‍在28纳米一一22纳米的世代，芯片晶体管采用的是传统的平面结构MOS晶体管技术，因此很难继续微缩化。到了16/14纳米及以后的技术节点时代，以FinFET为代表的立体结构的MOS晶体管成为了基础前提。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍之前，能否提升MOS晶体管性能（缩短延迟时间、增加ON电流）关系着CMOS逻辑的性能。但是，就大型、高速CMOS逻辑而言，无法忽视金属排线引起的时间延误（且越来越大）。对16/14纳米世代以后的技术节点而言，缩短排线引起的时间延误（或者不延长）对CMOS逻辑的性能提升极其重要。在演讲之初，Myung‐Hee Na先生首先展示了CMOS逻辑生产技术的微缩化技术蓝图。时间轴（横轴）范围为2011年一一2025年。纵轴为用对数表示的单位生产成本（美元单元）下晶体管数量，以2为底数。在2019年的7纳米技术之前，几乎都保持比率，从中也可以看出单位生产本下晶体管数量呈增长趋势。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍以上技术蓝图详细地说明了MOS晶体管技术的变迁。在28纳米技术世代，平面型MOS晶体管导入了HKMG（High-K Metal Gate，高介电常数金属闸极）技术。16/14纳米技术节点下，晶体管走向3D化，成为了FinFET。后来，FinFET持续了一段时间。