电镜搬运移入电镜安装

电镜搬运移入电镜安装的亚瑟报道：精‌密‍设‌备‍搬‌运‍2006年左右，逻辑器件半导体的微缩正在从65nm向45nm发展。但是，当时的曝光设备ArF（现在称为ArF干法）已经达到了分辨率极限，而作为下一代曝光设备的候补的EUV（极端紫外线）问题堆积如山，甚至连R&D设备都不存在。因此，“半导体的微缩不是已经结束了吗？”这样的气氛在半导体业界飘浮着。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍当时还是同志社大学经营学老师的笔者说：“半导体的微缩什么时候停止？”受此委托研究的影响，2007年7～9月（整整2个月）环游世界，访问了半导体制造商、制造设备和材料制造商、美国的财团SEMATECH和欧洲imec，对与微缩相关的关键人物进行了调查。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍当时询问的时候，我们把逻辑器件和内存分开来看。问题包括例如你觉得半间距（hp）以几nm的界限会是什么”。回顾当时，细微的金属布线（M1）的间距与技术节点大致成比例关系，所以上述问题是“M1的hp界限是多少nm？”（图2）。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍另外，关于存储器，NAND型闪存持续进行二维微缩，其水平比DRAM所以询问的是“您认为NAND闪存的微配线M1（或栅极长度）的hp是几nm？”这样的问题。图3展示出了这样进行的调查结果。A、B…、Z表示了回答笔者提问的技术人员的序列号（时间上按A→B→…、Z的顺序进行了调查）。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍从结果来看，当时有不少技术人员认为逻辑器件上hp为45nm的时候是极限，而内存则在hp为32nm的时候是极限。这种微缩的界限是通过延长ArF干法的ArF浸液和SADP（Self-Arigined Double Patterning、）等技术简单地被打破的。即使当时有相当多的技术人员认为“像浸液一样复杂的曝光设备无法启动”、“即使SADP微缩了也不会提高成品率”。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍值得一提的是，在访问TSMC以调查的时候，笔者联系了TSMC的朋友，让他们聚集了5~6个主管级别的人。笔者在台湾新竹的TSMC会议室，将之前的听取调查结果（A至X）投射到幻灯片上。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍当时聚集在一起的TSMC相关人员全体大笑起来。而且，“你在说什么呢，hp45nm和hp32nm是极限之类的蠢话？我们已经开发了22nm了？”。其中的2人也回答了我提的问题，他们给出的答案分别是hp16nm和hp10nm。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍认为TSMC从2018年开始量产的7nm的M1在hp18nm左右，2020年量产的5nm的M1在hp16nm附近。因此，台积电当时的极限说法在2020年被打破。至于剩下的hp10nm，我认为在TSMC的3nm，未来的2nm上接近其界限，如果再实现下一个1.5nm～1nm的话，这个极限就会被打破。