装卸，搬运移位安装半导体-气垫车运输

装卸，搬运移位安装半导体-气垫车运输的亚瑟精‌密‍设‌备‍搬‌运‍报道：增加下一代存储容量的关键驱动因素之一是增加每个单元可以存储的位数。每个单元一到两个位的轻松跳跃直接增加了 100%，以换取读/写位所需的更多控制，但也限制了单元的耐用性。我们已经看到每个单元四位的存储的商业化，并讨论了五个。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍一家日本公司现在准备开始谈论他们新的每单元 7 位解决方案。从每单元 1 位变为每单元 2 位可轻松将容量翻倍，而改为每单元 3 位仅增加 50%。随着添加更多位，添加这些位的价值会减少，但控制读取和写入的设备成本呈指数增长。必须在每单元多少位具有经济意义与实现这些位的控制电子成本之间保持中等平衡。此外，每个单元的位数越多，耐用性越低 - 当您存储许多位时，电压变化只需稍微漂移即可获得错误结果，因此对高容量单元的重复读/写会使电压漂移直到电池无法使用。目前，市场似乎对每单元 3 位 (3bpc) 的性能和每单元 4 位 (4bpc) 的容量感到满意，还有一些 2bpc 设计可实现长期耐用性。一些主要供应商一直致力于 5bpc 存储，尽管低耐用性可能使该技术仅适用于 WORM——一次写入，多次读取，这是相当于老式 CD 或非-可重写 DVD。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍来自日本的 C 系列初创公司 Floadia Corp. 早前发布了一份新闻稿，称其已开发出每单元 7 位 (7bpc) 的存储技术。虽然这个产品仍处于原型阶段，但他们认为这个 7bpc 闪存芯片，可能在 WORM 场景中，在 150摄氏度下具有有效的 10 年数据保留时间。该公司表示，具有这种控制级别的标准现代存储单元只能将数据存储约 100 秒，因此设计的秘诀在于他们开发的新型闪存单元。