装卸搬运安装半导体设备-电镜安装搬迁

装卸搬运安装半导体设备-电镜安装搬迁的亚瑟报道：半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍因为高性能芯片的需求，芯片制造工艺一直已经在摩尔定律的指导下，推到了3纳米，随之而来的是各种制造挑战。在semiengineering的这个采访中，Siemens Digital Industries Software的 MPC 和掩模缺陷管理总监 Peter Buck ；Hoya 技术战略高级总监 Bryan Kasprowicz；和D2S的首席执行官 Aki Fujimura就光罩的相关问题进行了讨论。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍是的，至少在半导体市场的高性能计算细分市场中，我们肯定需要每瓦特和每美元更多的计算量。智能家居产品和其他物联网设备更喜欢更低的成本而不是更高的性能。但天气预报、比特币挖掘或深度学习等重度模拟正在推动对 3nm 及以上技术的需求。幸运的是，我们将继续扩大规模，尽管摩尔定律正在发生变化。该行业跨学科和竞争对手之间的协作能力至关重要。这样，行业才能继续取得进步。这是一件好事，因为我们在 D2S 所做的半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍都取决于它。我们热切期待下一代 GPU、CPU、内存、通信芯片等，所有这些都将继续按照摩尔定律扩展。对于极紫外 (EUV) 光刻时代的逆光刻技术 (ILT：inverse lithography technology )，多年来我们需要更强大的机器来提供更半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍的晶圆。即使是现在，我们也可以使用 10 倍以上的计算能力。由于我们需要我们的技术来针对越来越小的几何形状，因此计算需求在此基础上不断扩大。毫无疑问。我们需要更多的计算能力。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍在 EUV 中，您有反射光学元件。如果你将光垂直于镜子曝光，它会直接回到 EUV 扫描仪的光学柱中，并且不会击中晶圆。例如，当您照镜子时，您看到的是自己的倒影。如果您在反射式光学元件下的 EUV 扫描仪内执行此操作，也会发生同样的事情。所以在 EUV 中，光半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍角度照射到掩模上。因为你有一个角度，所以 EUV 掩模和吸收器（absorber）的深度和高度很重要。在某些时候，光罩上的吸收器可能会变得太高。在这种情况下，它不仅仅是“X”和“Y”，而是现在您正在查看它的“Z”组件。因此，当您为其添加深度时，您会开始获得一些所谓的阴影效果。如果这不是问题，我们可能会在 EUV 掩模上使用更厚的吸收器，即使在 7nm 或人们开始实施 EUV 光刻的时候。因此，我们试图使吸收器尽可能薄，以减轻这些mask 3D 效果。因此，您使用的吸收器越薄，您对这些 3D 效果（例如shadowing, telecentricity和pitch walking等）的影响就越小。但这也有很多其他的含义。具体来说，当您尝试使用较小的功能进行 OPC（光学邻近校正）时，这些效果确实会产生影响。随着音高的收紧，这些情况会变得更糟。但这也有很多其他的含义。具体来说，当您尝试使用较小的功能进行 OPC（光学邻近校正）时，这确实会产生影响。