精密仪器设备装卸搬运-设备移位定位运输

精密仪器设备装卸搬运-设备移位定位运输的亚瑟报道：SiC的产业链半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍主要由单晶衬底、外延、器件、制造和封测等环节构成。SiC衬底处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。而SiC单晶在自然界极其稀有，几乎不存在。只能依靠人工合成制备。目前工业生产SiC衬底材料以物半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍相升华法为主，这种方法需要在高温真空环境下将粉料升华，然后通过温场的控制让升华后的组分在籽晶表面生长从而获得SiC晶体。整个过程在密闭空间内完成，有效的监控手段少，且变量多，对于工艺控制精度要求极高。衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的SiC衬底。按照电学性能的不同，SiC衬底可分为低电阻率的导电型SiC衬底，和高电阻率的半绝缘型SiC衬底。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍与传统的硅基器件不同，碳化硅衬底的质量和表面特性不能满足直接制造器件的要求，因此在制造大功率和高压高频器件时，不能直接在碳化硅衬底上制作器件，而必须在单晶衬底上额外沉积一层高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。这就形成了SiC外延产业。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍在导电型SiC衬底上生长SiC外延层制得SiC外延片，可进一步制成功率器件，功率器件是电力电子行业的重要基础元器件之一，广泛应用于电力设备的电能转化和电路控制等领域。应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域；在半绝缘型SiC衬底上生长氮化镓外延层制得SiC基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片，可进一步制成微波射频器件，微波射频器件是实现信号发送和接收的基础部件，是无线通讯的核心，主要包括射频开关、LNA、功率放大器、滤波器等器件，应用于5G通讯、雷达等领域。随着5G 通讯技术的发展和推广，5G 基站建设将为射频器件带来新的增长动力。去年9月底，华为发布了《数字能源2030》白皮书，白皮书中指出，“电力电子技术和数字技术成为驱动能源产业变革的核心技术”。未来的能源系统以可再生能源限度地开发利用、能源效率最高为目标，对能源输送和控制的安全智能等方面提出更高的要求，具体包括适应新能源电力的输送和分配的网络，与分布式电源、储能等融合互动的终端系统，与信息系统结合的综合服务体系等。这些都需要通过电力电子化设备进行运行、补偿、控制。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍而目前这些设备中所使用的基本都还是硅基器件，硅基器件的参数性能已接近其材料的物理极限，无法担负起未来大规模清洁能源生产传输和消纳吸收的重任，节能效果也接近极限。在这样的背景下，将带来新型功率半导体应用需求大幅提升，以碳化硅为代表的第三代半导体功率芯片和器件，以其高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，降低成本造价，增强可靠性和适用性，提高电能转换效率，降低损耗。