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半导体设备搬家搬运搬迁-气垫车运输

2022-04-19  来自: 亚瑟半导体设备安装(上海)有限公司 浏览次数:319

半导体设备搬家搬运搬迁-气垫车运输的亚瑟报道:近日,半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍CEA、Soitec、GlobalFoundries和ST宣布了一项新的合作,他们打算共同定义业界下一代 FD-SOI 路线图技术。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍作为本世纪初被开发以应对22nm以后半导体工艺难题的两大制程技术之一,FD-SOI显然从知名度上远远不如FinFET那样耳熟能详,应用广度也欠缺了不止一个维度,但这种工艺在某些方面的优势,又是标准的FinFET工艺所不具备的,特别是在如今庞大的物联网生态中,对芯片差异化的需求有时正需要FD-SOI这种技术半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍优势来实现。而另一边,长期受益于摩尔定律大放异彩的FinFET仿佛也走到了尽头,如果说三星宣称将在3nm推出其“环绕式栅极(GAA)”技术取代FinFET晶体管技术,FinFET犹可淡定;而到如今,台积电2nm和英特尔5nm制程也将放弃FinFET而转向GAA,就已有一个时代翻篇的迹象了。三大代工巨头纷纷在下一代半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍制程上选择GAA,成熟制程上FD-SOI又在“穷追不舍”,FinFET迎来“前后夹击

回顾半导体工艺制程发展历程,在过去的很长一段时间里都是平面型晶体管的天下。随着半导体发展趋势,使得相同面积下试图填入更多晶体管的想法逐渐受到重视,因此衍生出微缩整体尺寸的构然而平面型晶体管受制于物理结构,它只能在(Gate)的一侧控制电流的接通与断开,而且它的栅极宽度不可能无限制的缩窄。当宽度接近20nm时,栅极对电流的控制能力将出现断崖式下降,业内将其称为“沟道长度变短导致的所谓短沟道效应”,从而出现严重的电流泄露(漏电)现象,终让芯片的发热为了继续延续摩尔定律,胡正明教授于2000年前后提出了两种解决途径:一种是立体型结构的FinFET晶体管(鳍式场效应晶体管),另一种是基于SOI的超薄绝缘层上硅体技术FD-SOI晶体管技术(超薄绝缘层上硅体技术)

其中,FinFET工艺先拔头筹,英特尔早于2011年推出了商业化的FinFET工艺技术,将FinFET技术应用到了自家的22nm制程工艺上,显著提高了性能并降低了功耗,之后台积电、三星等各大厂商陆续跟进,采用 FinFET 技术取得了巨大成功,半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍使得FinFET大放异彩,从16/14nm开始,FinFET成为了半导体器件的主流选择,成功地推动了从22nm到5nm等数代半导体工艺的发展,并将扩展到3nm工艺节点,成为流晶圆厂的“不二”之选。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍FinFET特色就是将晶体管的结构从平面变立体,对栅极形状进行改制,闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构,位于电路的两侧控制电流的接通与断开,半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍大幅度提升了源极和栅极的接触面积,减少栅极宽度的同时降低漏电率,让晶体管空间利用率大大增加。


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