半导体设备装卸搬运-精密仪器设备装卸搬运I设备装卸搬运-亚瑟

半导体设备装卸搬运-精密仪器设备装卸搬运I设备装卸搬运-亚瑟报道：

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍不仅禁带宽度较大，还兼具热导率高、饱和电子漂移速率 高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性，在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器 件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本 SiC 单晶衬底是实现 SiC 器件大规模应用的前提。受技 术与工艺水平限制，目前 SiC 单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题。高温溶液生长 （high temperature solution growth，HTSG）半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍法生长的 SiC 单晶具有缺陷密度低、易扩径、易实现 p 型掺杂半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍优势，有望成为大规模量产 SiC 单晶的主要方法之一，目前该方法的主流技术模式是顶部籽晶溶 液生长（top seeded solution growth，TSSG）法。本文首先回顾总结了 TSSG 法生长 SiC 单晶的发展历程， 半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍接着介绍和分析了该方法的基本原理和生长过程，然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法的 研究进展，并归纳了该方法的半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍