高精密设备《移入move in移出》
2020-12-25 来自: 亚瑟半导体设备安装（上海）有限公司 浏览次数:298
专注于高精密设备《移入move in移出Arthur发现新款固态硬盘发布：
三款全新NAND固态盘代表着TLC和QLC作为大容量固态盘的主流技术正式迈入全新时代。
其中，英特尔®3D NAND 固态盘670p是用于主流计算的英特尔下一代144层（QLC）3D NAND固态盘。英特尔固态盘D7-P5510是推向市场的144层TLC NAND固态盘，而英特尔固态盘D5-P5316则是业内采用了144层QLC NAND的数据中心级固态盘。
过去十余年间，英特尔始终致力于推动和发展内存和存储技术。
英特尔还宣布推出三款采用144层存储单元的全新NAND固态盘，
包括适用于主流计算的英特尔下一代144层QLC 3D NAND固态盘——半导体设备搬运
英特尔固态盘670p；推向市场的144层TLC NAND设计的英特尔固态盘D7-P5510；
采用业内144层QLC NAND并具备更高密度、半导体设备搬运更强的英特尔固态盘D5-P5316。
新的D7-P5510使用144L 3D TLC NAND，为使用96层TLC的D7-P5500的后继产品。
由于P5500是OEM的产品，因此P5510还将作为部分客户群的P4510的后继产品。
英特尔尚未宣布D7-P5600的144L替代产品。
相比上一代产品，P5510在IOPS性能上有45%左右的提升，而在大带宽吞吐量上，读写分别较上一代提升118%和35%。在读写混合场景下的IOPS提升了50%。
另外在延迟，耐久度，TRIM时间等规格上均有不同程度的提升。
半导体设备搬运使用Intel 144LQLC NAND的新品D5-P5316 SSD具有15.36TB和30.72 TB两个容量规格，采用U.2或E1.L接口形态。E1.L版本使得Intel可以采用Ruler形态的SSD在1U服务器中达到1PB的存储容量。半导体设备搬运
由于P5316取代了较旧的P4326（64L QLC和PCIe3.0接口），它比基于TLC的P5510有了实质性的升级。半导体设备搬运
除了在QLC产品线中引入英特尔第三代企业级NVMe SSD控制器外，P5316带来的重要变化是闪存抽象层FTL的工作方式发生了重大变化。半导体设备搬运
P5316通过更改SSD的FTL，以64kB（而不是4kB）的页面粒度工作，从而使板载DRAM用量减少了16倍。较粗粒度FTL节省的DRAM有助于使大容量SSD更加经济实惠，但以严重损害性能和增加小块随机写入的写放大效应为代价。半导体设备搬运
业界的总体趋势是对此类驱动器采用NVMe分区命名空间，从而规避随机写入带来的问题。半导体设备搬运