上海实验室搬运公司
2021-03-27
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亚瑟半导体设备安装（上海）有限公司
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上海实验室搬运公司实验室搬迁上海实验室搬运公司观察到在2002年5月，上海实验室搬运公司撰文谈到了当时功率半导体领域一项长期发展的技术：
氮化镓（GaN）。
在那篇实验室搬迁文章中，他们对氮化镓在当时新生的宽带无线网络，雷达以及电网的电源开关应用中中的前景表示了乐观的看法。
他们实验室搬迁是正确的。GaN的宽带隙（使束缚的电子断裂并促进传导所需的能量）和其他品质使我们能够利用这种材料的高电场耐受能力如今，GaN已成为固态射频功率应用领域无可争议它已经出现在雷达，5G无线领域，并很快将在电动汽车中使用的功率逆变器中普及。现在，您甚至可以随意购买基于GaN器件设计的USB充电器，在其紧凑的尺寸中，提供了显着的高功率水平。不过，即使如次，我们还是会问，还有比GaN东西吗？有什么可以使RF放大器更强大有什么能使电力电子设备进一步缩小，进一步减轻飞机和汽车的负担吗？我们能找到带隙更大但仍可以导电的材料吗？其实市场上实验室搬迁具有不过拥有不少带隙的材料，但是量子力学的特殊性意味着他们当中的大多数几乎都不能用作半导体。然而，有一个引人注目的候选：透明的导电氧化物——氧化镓（Ga2O3）。凭借其在接近5电子伏特的宽带隙，氧化镓GaN（3.4eV）一英里，与硅（1.1eV）相比，优势更是大到一个马拉松。我们知道，金刚石和氮化铝的带隙也较大，但它们不具有Ga2O3所具有的特性，这是一组幸运的特性，可用于制造廉价但功能强大的器件。仅材料具有宽的带隙是不够的，因为如果这样的话，所有电介质和陶瓷都可以，这也是它们只能用作绝缘体的原因。但是氧化镓具有品质组合，可以使其非常有用，可作为功率开关和RF电子设备的材料候选。
