实验室搬迁搬运方案

实验室搬迁搬运方案找亚瑟的亚瑟报道：据精‌密‍设‌备‍搬‌运‍报导，三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的，目的在于加速为GAA 构的生产流程提供高度优化的参考方法。而因为三星的3 nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的 FinFET 的架构，而是采用 GAA 的结构。在此情况下，三星需要新的设计和认证工具，因此采用了新思科技的 Fusion Design Platform。三星半导体设计技术团队副总裁 Sangyun Kim 表示，三星半导体是推动下一阶段产业创新的核心。所以，三星将藉由不断进行的技术制程发展，以满足精‌密‍设‌备‍搬‌运‍和广泛市场应用不断增长的需求。如此，在三星电子精‌密‍设‌备‍搬‌运‍ 3 奈米 GAA 结构制程技术上，受惠于与新思科技的广泛合作，在 Fusion Design Platform 加速准备，以有效达成 3 奈米制程技术的承诺，证明了这些关键联盟的重要性和好处。

据精‌密‍设‌备‍搬‌运‍了解，3 奈米 GAA 制程技术有两种架构分类，也就是 3GAAE 和 3GAAP。这是两款以奈米片的结构设计，在鳍中具有多个横向带状线。这种奈米片设计已被研究机构 IMEC 作为 FinFET 架构后续的产品进行了大量研究，并由 IBM 与三星和格罗方德合作进行了技术发展。三星精‌密‍设‌备‍搬‌运‍指出，这种技术具被高度可制造性。原因是它利用了该公司现有的约 90% 的 FinFET 制造技术予设备，而只需要少量修改过的光罩即可。另外，该制程技术具有出色的栅极可控性，这比三星原本采用的 FinFET 技术高 31%，且因为奈米片信道宽度可通过直接图像化来改变，这就给设计提供了灵活性。