上海半导体设备装卸搬运
2021-07-08
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亚瑟半导体设备安装（上海）有限公司
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上海半导体设备装卸搬运的亚瑟报道：过往，逻辑厂商在工艺上一直处于 半导体设备搬运地位，也是使用EUV光刻机的大户。但是现在存储厂商的发展也来到了使用EUV光刻机阶段。 半导体设备搬运此前一直表示不会采用EUV光刻的美光，也扛不住来到了EUV光刻时代，近日据韩媒报道，美光计划到 2024 在其制造工厂中实施极紫外 (EUV) 光刻，在1γ(Gamma)节点的有限的层数中部署 EUV，然后会将其扩展到具有更大层采用率的1δ(Delta)节点。旨在通过允许制造更小的芯片特征来保持摩尔定律的存在。半导体设备搬运美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在公司21财年第三季度财报电话会议上表示：“我们一直说我们会监控 EUV 的进展。我们实际上参与了 EUV 评估。我们过去使用过 EUV 工具。所以我们一直说，当我们看到 EUV 平台以及生态系统变得更加成熟时，我们将在我们的路线图中拦截 EUV。美光已从 ASML 订购了多种 EUV 工具，”Mehrotra 证实。美光已将21财年的资本支出增加到略高于 95 亿美元，其中就包含这些EUV的预付款。 半导体设备搬运2021年2月1日，SK海力士完成用于DRAM的EUV晶圆厂，它于2年前开始建造，位于京畿道利川园区的晶圆厂名为 M16，是该公司 半导体设备搬运晶圆厂。SK海力士 半导体设备搬运为M16引进了EUV光刻设备。SK海力士计划使用 半导体设备搬运设备从今年下半年开始生产第四代10纳米DRAM产品，即1a-nm DRAM。
除此之外，SK海力士已与 ASML签署了一份价值 4.75 万亿韩元（43 亿美元）的 5年合同，以采购极紫外 (EUV) 光刻系统，按照 半导体设备搬运EUV曝光设备预计每台约200亿日元，本次合同金额为采购20台以上的规模（支付金额包括安装费用等）。 半导体设备搬运去年年初，三星电子宣布 半导体设备搬运开发基于 ArF-i 的 D1z DRAM 和分别应用其 EUVL 光刻 (EUVL) 的 D1z DRAM。今年2月份，三星电子基于极紫外（EUV）光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已经完成了量产。半导体分析机构TechInsights拆解了采用EUV光刻技术和ArF-i光刻技术的三星1z-nm工艺DRAM，它认为该技术提升了三星的生产效率，并减小了DRAM的核心尺寸。DRAM 单元尺寸和 D/R 缩放越来越难，但三星将 D1z 的 D/R 降低到 15.7 nm，比 D1y 缩小了 8.2%。据了解，三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤。至此，存储三巨头三星、SK海力士、美光都已加码投资EUV光刻机，EUV光刻机需求不断增加，而ASML的产能有限，预计各家公司将竞相采购设备。 半导体设备搬运多年来，芯片制造商使用基于光学的 193nm 波长光刻扫描仪来对芯片中 半导体设备搬运功能进行图案化。通过多重图案化，芯片制造商已将 193 纳米光刻技术扩展到 10/7 纳米。但是在 5nm 处，当前的光刻技术已经失去动力。所以EUV光刻机就被推上历史舞台，这将NA（breaking index）从大约 1.0 提高到大约1.35纳米。ASML的EUV光刻机目前使用EUV光源波长在13.5nm左右，物镜的NA数值孔径是0.33，发展了一系列型号。但是，现在 半导体设备搬运EUV光刻机的NA指标太低，解析度不够。所以在代EUV光刻机你争我抢的局面下，下一代光刻机也在被呼唤。在ASML的规划中，第二代EUV光刻机的型号将是NXE：5000系列，其物镜的NA将提升到0.55，进一步提高光刻精度，半导体工艺想要突破1nm制程，就 半导体设备搬运靠下一代光刻机。不过这也将更加昂贵，其成本超过一架飞机，预计成本超过 3 亿美元。 半导体设备搬运但下一代high-NA EUV 的演进却不是那么容易，未来工艺节点向高数值孔径（“high NA”）光刻的过渡不仅需要来自系统供应商（例如 ASML）的巨大工程创新，还需要对合适的光刻胶材料进行高级开发。EUV 光刻演化的一个经常被低估的方面是相应光刻胶材料的相应开发工作，寻找合适的光刻胶系统开发同时进行High-NA EUV光刻系统将始于N2、N2+技术节点，ASML预计将在2022年完成High-NA EUV光刻机系统的验证，并计划在2023年交付给客户。ASML宣布，它现在预计High-NA 设备将在 2025 年或 2026 年（由其客户）进入商业量产。如三星、台积电和英特尔等的客户们也一直呼吁开发High-NA 生态系统以避免延误。
