精密仪器电镜搬运装卸维修

2021-07-27 　来自: 亚瑟半导体设备安装（上海）有限公司浏览次数:231

精密仪器电镜搬运装卸维修报道：正如精‌密‍设‌备‍搬‌运‍在演讲中所说制程工艺“节点”的名称与晶体管的栅极长度相对应，并以微米为度量单位。随着晶体管越变越小，栅极的长度越来越微缩，我们开始以纳米为度量单位。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍接着说，在过去多年的发展中，英特尔在工艺制程上面有过很多的贡献。例如在1997年，英特尔推出了应变硅（strained silicon）技术，在加上其他技术方面的创新，进而持续缩小晶体管，让它们更快、更便宜和更高能效也变得同样重要。从这时开始，传统命名方法不再与实际的晶体管的栅极长度相匹配。”Pat Gelsinger强调。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍来到2011年，在英特尔也推出FinFET技术。这是一种构建晶体管的全新方式，具有形状和结构。正是得益于这种创新性的技术，摩尔定律继续生效，但Pat Gelsinger却表示，伴随着这种技术的出现，行业进一步分化。在精‌密‍设‌备‍搬‌运‍看来，包括英特尔在内整个行业使用着各不相同的制程节点命名和编号方案，这些多样的方案既不再指代任何具体的度量方法，也无法展现该如何实现能效和性能平衡。“为此，英特尔想要更新自己的命名体系，以创建一个清晰、一致和有意义的框架，来帮助我们的客户对整个行业的制程节点演进有一个更准确认知，进而做出更明智的决策。”Pat Gelsinger强调。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍基于这个思路，继去年推出英特尔有史以来强大的单节点内性能增强的10纳米SuperFin节点后，英特尔又推出了下一个节点——我们之前称它为Enhanced SuperFin——现在更名为Intel 7、紧随其后的是Intel 4和Intel 3。继Intel 3之后的那个节点，英特尔将其命名为20A，而不是大家以为的Intel 1。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍报道，英特尔在工艺方面也继承了过往的一些传统。如下图所示，英特尔对用于生产（production）和进入零售（retail）之间是有区别的；英特尔将某些技术称为“准备就绪”（being ready），而其他技术则称为“加速”（ramping'），因此这个时间表只是提到的那些日期。正如您想象的那样，每个工艺节点都可能存在数年，此图只是展示了英特尔在任何给定时间的技术。该工艺已经实现大批量量产：基于该工艺制造的Tiger Lake 和英特尔的 Xe-LP 独立显卡解决方案（SG1、DG1）已经推出；精‌密‍设‌备‍搬‌运‍这个节点以前称为 10nm Enhanced Super Fin 或 10ESF。Alder Lake （正在批量生产）和 Sapphire Rapids 都属于这一代工艺的产品，由于晶体管优化，这代工艺的每瓦性能比 10SF 提高 10-15%。此外，英特尔的 Xe-HP 现在将被称为英特尔 7 产品。这个接在在以前称为 Intel 7nm。英特尔今年早些时候表示，其 Meteor Lake 处理器将使用基于该工艺节点技术的计算块，现在该芯片已返回实验室进行测试。英特尔预计，在这个节点下，芯片每瓦性能比上一代提高 20%，并且该技术使用更多 EUV，主要用于 BEOL。英特尔的下一个至强可扩展产品 Granite Rapids 也将使用Intel 4进行生产。需要强调一下，Intel 4是英特尔完全采用极紫外光刻（EUV）技术的制程节点；精‌密‍设‌备‍搬‌运‍以前称为英特尔 7+。增加 EUV 和新高密度库的使用。这就是英特尔的战略变得更加模块化的地方——Intel 3 将共享Intel 4 的一些特性，但足够新来描述这个新的完整节点，特别是新的高性能库。尽管如此，预计会很快跟进。EUV 使用的另一个进步是，英特尔预计 2023 年下半年的制造量将增加，其每瓦性能比Intel 4 提高 18%。以前称为 Intel 5nm。但新的路想吐转向两位数命名，A 代表 Ångström，或 10A 等于 1nm。关于这个节点有很少细节，但在这个节点，英特尔将从 FinFET 转向其称为 RibbonFET 的 Gate-All-Around (GAA) 晶体管。此外，英特尔还将推出一种新的 PowerVia 技术。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍这在上图中未列出，但Intel预计2025年会有18A工艺。18A将使用ASMLEUV机器，称为High-NA机器，能够进行更光刻。英特尔表示，它是 ASML 在 High-NA 方面的主要合作伙伴，并准备接收 High-NA 机器的机器。ASML宣布 High-NA 被推迟——当被问及这是否是一个问题时，英特尔表示不会，因为 High-NA 和 18A 的时间表是英特尔希望交叉并具有无可置疑的领导地位的地方。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍在谈到英特尔为何重命名节点的时候，anandtech强调，当中的一个要素是他们要与其他代工厂产品匹配。英特尔的竞争对手台积电和三星都使用较小的数字来比较类似的密度工艺。随着英特尔现在更名，他们与行业更加一致。话虽如此，anandtech暗示，英特尔的 4nm 可能与台积电的 5nm 相提并论。到 3nm 我们预计会有一个很好的平价点，但这将取决于英特尔与台积电的发布时间表相匹配。

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