电镜搬运搬迁移位拆装

电镜搬运搬迁移位拆装的亚瑟报道： ‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍在3nm节点上构建的晶圆成本或将达到3万美元左右，晶圆代工成本将进一步提高。 ‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍另一组数据也对此进行了印证，成本价格在很大程度上取决于芯片制程和晶圆尺寸的不同。IC Insights提供的数据显示，每片0.5µ 200mm晶圆代工收入（370美元）与≤20nm 300mm晶圆的代工收入（6050美元）之间相差超过16倍。即使同样是在300mm晶圆尺寸下，≤20nm 相比28nm工艺，成本相差也达到一倍。 ‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍观察可见，随着工艺节点的提升，晶圆代工成本随之大幅度提升。此外，除了晶圆厂建设和代工费用，晶圆制造厂商的日常运营投入也不低（当然，此部分已经均摊到了代工成本里面）。台积电企业社会责任报告书中的数据显示，2019年台积电能源消耗量达到143.3亿度，作为对比，2019年深圳市1343.88万常住人口的全年居民用电为146.64亿度。由此可见，台积电一年消耗的电量有多么巨大。而且，精度越高的工艺，或精度越高的光刻设备，所需电量还会成正比增长。据台媒报道，以5nm为例，台积电5nm芯片大规模量产之际，公司单位产品用电量相比2019年上涨了17.9%。 ‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍掩膜版又称光罩、光掩膜等，是微电子制造过程中的图形转移工具或母版，其功能类似于传统照相机的“底片”，根据客户所需要的图形，通过光刻制版工艺，将微米级和纳米级的精细图案刻制于掩膜版基板上，是承载图形设计和工艺技术等内容的载体。据 ‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍显示，在16/14nm制程中，所用掩膜成本在500万美元左右，到7nm制程时，掩膜成本迅速升至1500万美元。又从台积电（IEDM 2019）了解到，从10nm到5nm，随着EUV光刻技术的应用，掩膜使用数量有所减少，5nm与10nm制程中掩膜使用数量相差不多。但是，在掩膜数量基本持平的情况下， ‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍制程工艺使得掩膜总成本提升，能侧面反映出掩膜平均成本在不断升高。再反映到芯片成本上，每片CPU的掩膜成本等于掩膜总成本/总产量。如果总体产量小，芯片的成本会因为掩膜成本而较高；如果产量足够大，比如每年出货以亿计，掩膜成本被巨大的产量分摊，可以使每块CPU的掩膜成本大幅降低，使拥有“更贵的制程工艺+更大的产量”属性的CPU，比“便宜的制程工艺+较小的产量”的CPU成本更低。可以预见，到3nm时，掩膜成本预计将会再度攀升，进一步增加芯片成本。 ‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍光刻机作为芯片制造阶段核心的设备之一，负责“雕刻”电路图案，其精度决定了制程的精度，其原理是把设计好的芯片图案印在掩膜上，接着用激光光束穿过印着图案的掩膜和光学镜片，将芯片图案曝光在带有光刻胶涂层的硅片上，将掩膜上的图案转移到芯片光刻胶涂层上。随着工艺制程的发展，到7nm及更技术节点时，需要波长更短的极紫外（EUV）光刻技术来实现更小的制程。荷兰ASML是有能力制造EUV光刻机的厂商。台积电在7nm+时引入了EUV设备，但层数相对有限；6nm增加了EUV层并优化了PDK（工艺设计工具包）；5nm具有完全EUV能力。随着芯片面向3nm工艺，芯片制造商将需要一种高数值孔径EUV（high-NA EUV）的EUV光刻新技术。据ASML财报显示，他们正在研发采用high-NA技术的下一代EUV光刻机，有更高的数值孔径、分辨率和覆盖能力，较当前的EUV光刻机将提高70%。但EUV光刻机的价格一直以来十分昂贵，2018年，中芯和ASML签订了订购协议，以1.2亿美元的价格订购了一台EUV光刻机。这一价格与PHOTRONICS披露的EUV光刻机价格基本吻合。