半导体设备搬运-精密仪器设备装卸搬运气垫车运输

半导体设备搬运-精密仪器设备装卸搬运气垫车运输的亚瑟报道：精‌密‍设‌备‍搬‌运‍英特尔可能会将目光投向新的晶体管设计，作为马其顿骑兵实现其 2 纳米以下制造的愿望。最近公布的一项在线专利似乎为英特尔指明了前进的方向，即通过所谓的“堆叠叉板晶体管”来保持摩尔定律的活力。然而，该专利往往是模糊的，而且英特尔没有声称 PPA（功率性能面积）的改进。据精‌密‍设‌备‍搬‌运‍称，新的晶体管设计最终可以实现 3D、垂直堆叠的 CMOS 架构，与当今精‌密‍设‌备‍搬‌运‍的三栅极设计相比，该架构允许增加晶体管数量。然而，进一步缩小晶体管的难度已经变得如此之大，甚至英特尔的专利也将这些限制描述为“压倒性的”——成本、风险和复杂性现在似乎都超过了潜在的好处。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍英特尔的专利描述了纳米带晶体管与新的原子薄锗薄膜配对的使用，该薄膜充当介电壁(dielectric wall)。该壁(WALL)用作层之间的物理分隔，用作p-栅极沟槽和n-栅极沟槽之间的绝缘体。它在每个垂直堆叠的晶体管层中重复，这取决于有多少晶体管彼此堆叠。实际上，这允许 PMOS和 NMOS 器件之间的空间在其功能受到影响之前更加紧密（与没有wall的情况下它们精‌密‍设‌备‍搬‌运‍保持相同的效果相比），这意味着英特尔可以将更多的器件放入一个较小的区域。结果，摩尔定律又喘了一口气。英特尔旱在 2019 年就已经开始探索该技术一一该公司在其电子设备会议 (EDM)活动中展示了该技术。然而，无论是在这项专利中，我们都找不到关于 forksheet 技术如何提高晶体管密度、性能和功率效率的一些"硬估计”的具体数据。幸运的是，英特尔并不是精‌密‍设‌备‍搬‌运‍引用这种制造方法的公司。总部位于比利时的研究小组Imec 在2019 年也宣布开发出精‌密‍设‌备‍搬‌运‍用于"forksheet设备"的标准单元模拟结果。是的，这些forksheet 设备是英特尔专利的基础。因此，两家机构在纳米电子学领域有着密切而长久的联系也就不足为奇了。