精密仪器设备捆包搬运-气垫车运输搬运掏箱

精密仪器设备捆包搬运-气垫车运输搬运掏箱的亚瑟报道：据报道，半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍由imec和ASML组成的imec-ASML 联合High NA实验室在开发图案化和蚀刻工艺、筛选新的光刻胶和底层材料、改进计量和光掩模技术方面取得了进展。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍“Imec 正在与 ASML 就 High-NA 技术展开合作，因为 ASML 正在构建其半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍原型 0.55NA EUV 光刻扫描仪 EXE:5000，”Imec 首席执行官 Luc Van den Hove 日前表示，“与当前的 0.33NA EUV 光刻相比，High-NA EUV 光刻预计将打印2nm 以上的逻辑芯片所需的半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍关键功能具有更少的图案化步骤。我们的职责是与半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍图案化生态系统紧密合作，确保及时提供半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍的抗蚀材料、光掩模、计量技术、（变形）成像策略和图案化技术——充分受益于 High-NA光刻机提供的分辨率增益。”在今年的 SPIE半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍光刻会议上，这个联合实验室将在 High-NA EUV 光刻领域有 12 个贡献。在对半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍High-NA EUV 原型系统的预期中，Imec 正在提高当前 0.33NA EUV 图案化技术的分辨率能力，以预测用于印刷细线/空间和接触孔的更薄抗蚀剂的性能。除了图案塌陷之外，imec 还将线边缘粗糙度 (LER) 确定为用薄抗蚀剂膜图案化线/空间的半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍关键参数之一，并提出了减轻图案粗糙度的策略（例如，通过调整照明和掩模条件）。此外，imec 及其材料供应商展示了在High NA 条件下筛选具有良好图案转移能力的新型光刻胶材料（如金属氧化物光刻胶）和底层的结果。他们还提出了专门的图案化和蚀刻方案，旨在减少缺陷和随机印刷失败。（论文编号 12051-7；12055-4；12056-28）半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍在向更小的特征尺寸（例如，10nm 宽的线）和更薄的抗蚀剂膜（20nm 及以下）的转变，产业迎来了两个重要方面对计量提出了挑战。首先，计量学家需要应对 CD-SEM 工具大幅降低的图像对比度；其次，需要对小于 10nm 的特征进行成像（考虑到叠加性能、LER 和随机打印失败），需要具有更高分辨率的计量工具。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍Imec 高级图案化项目总监 Kurt Ronse 说：“Imec 及其合作伙伴采取了几个方向来应对这些挑战。他们表明，通过调整现有计量工具的操作条件，可以显著提高图像对比度。在深度学习框架（如基于深度学习的去噪）的支持下，专用软件进一步增强了图像分析和缺陷分类半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍通过与计量供应商的密切合作，imec 探索了用于可靠测量小特征的替代计量技术，例如高通量扫描探针计量和低压像差校正 SEM。” （论文编号 12053-2；12053-3；12053-5；12053-22；12053-43；12053-64）