上海精密仪器设备移入移出-半导体设备搬运搬迁
2022-07-27 来自: 亚瑟半导体设备安装（上海）有限公司 浏览次数:1508
上海精密仪器设备移入移出-半导体设备搬运搬迁的亚瑟报道：半导体设备搬运昨日晚间，闪存大厂美光正式宣布，公司的232层3D NAND Flash正式量产。半导体设备搬运按照美光介绍，这是闪存行业半导体设备搬运跨入两百层。与前几代美光NAND相比，新产品具有业界半导体设备搬运面密度，可以提供更高的容量和更高的能效，从而为从客户端到云的数据密集型用例提供的支持半导体设备搬运美光的 232 层 NAND是存储创新的分水岭，它半导体设备搬运证明了在生产中将 3D NAND 扩展到超过 200 层的能力，”美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 说。“这项突破性技术需要广泛的创新，包括创建高纵横比结构的半导体设备搬运工艺能力、新型材料的进步以及基于我们市场半导体设备搬运176 层 NAND 技术的半导体设备搬运设计增强。”Scott DeBoer进一步指出。半导体设备搬运除了美光以外，三星和铠侠也都在争先恐后的涌向两百层的闪存。此外，也有报道指出，国内闪存企业长江存储也将跨过一代，直接迈向232层存储。由此可见，属于闪存的新一轮争霸战正式开打。半导体设备搬运在闪存堆叠的早期，韩国巨头三星一直是半导体设备搬运但美光却在后续的发展中迅速追上，并终于在176层闪存上实现了半导体设备搬运超越。而这次232层NAND Flash的量产，更是将美光的半导体设备搬运优势进一步扩大。半导体设备搬运从原理上看，3D NAND Flash是通过在垂直堆栈中将多组单元相互层叠来制造的。闪存芯片中的层数越多，容量就越高。目前，所有制造商目前都在制造 100 层以上的芯片。美光则声称，其量产的232 层技术代表了世界半导体设备搬运的NAND。据美光介绍，公司新的232层闪存拥有业界的 NAND I/O 速度——每秒 2.4 GB (GB/s)。这一速度比美光 176 层节点上启用的接口快50%。与上一代闪存相比，232 层 NAND 还提供高达 100% 的写入带宽和超过 75% 的读取带宽提升。半导体设备搬运此外，232层NAND推出六平面（six-plane）TLC量产NAND。在所有 TLC 闪存的每个die中，其所具有的的平面（plane）是多的，并且每个平面都具有独立的读取能力。美光的 232 层 NAND 还是支持 NV-LPDDR4 的生产产品，这是一种低压接口，与之前的 I/O 接口相比，每比特传输节省 30% 以上。能够实现这样的速度提升，这当然主要得益于美光在技术上的创新。半导体设备搬运报道，从技术角度来看，美光的232L NAND进一步建立在美光那一代磨练出来的基本设计元素之上。因此，我们再次关注弦堆叠设计（string stacked design），美光使用一对116层decks，高于上一代的88层。反过来，116层decks也是值得注意的，因为这是美光半导体设备搬运能够生产超过100层的单一deck，这一壮举以前半导体设备搬运于三星能做到。这反过来又使美光能够仅用两层decks生产半导体设备搬运的NAND，随着公司推动总层数超过300层的设计，这可能在更长时间内是不可能的。
