半导体设备装卸搬运移位-精密仪器设备装卸搬运

半导体设备装卸搬运移位-精密仪器设备装卸搬运的亚瑟报道：‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍上个月中，SEMICON West 2022于旧金山的 Moscone 中心隆重举行。展会前，Imec 在Moscone 中心附近的Marriott Marquee 举办了一场技术论坛。近年来，Imec 论坛已经从我介绍的工艺技术转向更多的系统和应用论坛，但仍有一些工艺内容。在 ‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍的演讲中，他展示了如图 1 所示的路线图幻灯片。‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍对于某些圈子里关于摩尔定律死亡的所有讨论，Imec 路线图展示了十多年的持续逻辑扩展。‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍在 N2 节点上，Imec 展示了向 Gate-All-Around (GAA) 纳米片的过渡，三星正在为其 3nm 节点引入 GAA 纳米片，英特尔和台积电宣布用于 2nm（英特尔 20A）的 GAA 纳米片。经过两代纳米片后，Imec 过渡到了 Forksheets。这是纳米片的一种变体，可降低cell的轨道高度。目前，我不清楚 Imec 的 Forkseheet 提案在设备制造商中的吸引力有多大，因为我真的没有看到除Imec 之外的 供应商在Forksheets 上做任何的工作。在 Forksheet 的两代之后，Imec 开始引入 CFET。供应商们在 CFET 方面做了大量工作，尤其是英特尔和台积电。上一代 CFET 引入了原子级薄片。‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍在 Geert Van der Plas 的演讲中，关于潜在路线图的更多细节被提出。‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍从可以看出，尽管密度继续增加，但速率下降到每个节点的 1.2 倍至 1.3 倍。‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍显示了标准单元、背面、生产线后端和 CMOS 2.0 创新的扩展路线图的一些额外细节。标准单元微缩越来越受到设计-技术-协同优化 (DTCO) 的推动，例如单扩散中断（single diffusion break）、有源栅极上的接触（contact over active gate）、叉板墙（forksheet wall）等。晶圆背面正成为通过背面功率传输进行微缩的关键部分。BEOL 将需要新的材料和图案化技术来支持更密集的设备。