上海洁净室精密设备搬移|半导体SMT设备搬运|半导体设备搬运移位定位

上海洁净室精密设备搬移|半导体SMT设备搬运|半导体设备搬运移位定位的亚瑟报道：绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）器件内部通过并联大量芯片保证其关断能力，当并联芯片的参数分散性较大时，器件的关断能力会不可避免的退化。因而，研究 IGBT 器件关断能力提升的参数筛选方法非常重要。为此，本文首先分析了并联两 IGBT 芯片关断失效的特征及关键的影响因素，并‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍给出了并联 IGBT 芯片动态闩锁失效的电压电流波形。波形表明，关断重分配的电流不均令并联芯片在关断时承受不同应力，从而导致 IGBT 器件的关断能力退化。此外，上述过程受芯片阈值电压，转移特性曲线等诸多参数影响，因此需要通过多参数筛选以提升器件的关断能力。所以，本文总结了 300 组芯片并联关断的实验结果，研究了并联芯片参数差异与关断均流的关系，并提出联芯片的关断均流的参数筛选方法，从而提升器件的关断能力。实验结果表明，通过筛选栅极阈值电压、转移特性曲线以及等效跨导可以有效保证芯片在 1.8 倍额定电流下的关断电流差峰值小于 10%，验证了所提方法的有效性。‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）器件作为全控型电压驱动的电力电子器件，已经被广泛的应用于轨道交通、航空航天和电力系统等诸多领域。作为能量转换的关键设备，IGBT 器件的失效问题及其失效特征一直是器件研究‌‌半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍尤其是 IGBT 器件的感性负载关断失效，其失效工况接近于器件实际运行工况，近 20 年，已有诸多机构和学者对其开展了广泛而深入的研究。与此同时，考虑到单颗 IGBT 芯片的通流能力有限，在工程实际中，往往将多颗 IGBT芯片或 IGBT 子模组并联成器件使用。但是，由于并联 IGBT 芯片间封装参数、芯片参数等不同，并联芯片间理想的均流是难以实现的。这会进一步导致并 IGBT 器件的关断能力退化，严重危害器件的安全稳定运行。