***TEM-透射电镜》搬运装卸

随着***TEM-透射电镜》搬运装卸的亚瑟来看待半导体技术的发展，光刻的精度不断提高，已由微米级、亚微米级、深亚微米级，细化到当前的纳米级，曝光光源的波长也由436纳米（G线）、365纳米（Ⅰ线），发展到248纳米（KrF）、193纳米（ArF），再到13.5纳米（EUV）。EUV是线宽突破10纳米，甚至之后的7纳米、5纳米、3纳米工艺的关键。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍报告显示，半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩膜上转移至硅片上，这一过程需要通过光刻来实现。光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生产中需要进行20~30次的光刻，耗时占到IC生产环节的50%左右，占芯片生产成本的1/3。如果采用EUV，晶圆厂可以减少将芯片设计缩小所遇到的光学麻烦，并在此过程中省去一些多重图形曝光（multi-patterning）步骤，在理想情况下能够节省成本和时间，提高良品率。也正是这个原因，尽管ASML的EUV售价高达1.2亿美元，三星和台积电等厂商依然积极采购。台积电精‌密‍设‌备‍搬‌运‍在日前举行的法说会上宣布，2021年主要用于设备采购的资本支出约为250亿至280亿美元，较2020年的172亿美元增长了45%～62%。台积电首席财务官黄仁昭表示，为应对工艺与特殊工艺技术发展，并顺应客户需求的增长，公司将上调2021年资本支出，其中80%将用于3nm、5nm及7nm等工艺。