高精密设备装卸搬运

高精密设备装卸搬运从半导体材料的三项重要参数看，第三代半导体材料在电子迁移率、饱和漂移速率、禁带宽度三项指标上均有着优异的表现。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍行业中有“一代材料、一代技术、一代产业”的说法。与一些人对“工业王冠上的钻石”生产制造上的断言相似，在芯片制造中，材料若缺席，技术充其量就是一纸PPT，无法落地为产品。随着以碳化硅、氮化镓等宽禁带化合物为代表的第三代半导体应用技术的进步，5G、毫米波通讯、新能源汽车、光伏发电、航空航天等战略新兴产业的关键核心器件的性能将获得质的提升。事实上，国内之所以将半导体材料以“代”来划分，多少缘自于随着半导体材料的大规模应用而来的三次产业革命。半导体材料以硅（Si）为代表，其取代了笨重的电子管，推动了以集成电路为核心的微电子产业的迅猛发展。第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）等为主，磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键器件，砷化镓高速器件更开拓了光纤及移动通信新产业。从半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍材料的三项重要参数看，第三代半导体材料在电子迁移率（低压条件下的高频工作性能）、饱和漂移速率（高压条件下的高频工作性能）、禁带宽度（器件的耐压性能、工作温度与光学性能）三项指标上均强于硅材料器件。其中，引人注目的是第三代半导体的“宽禁带（WideBand-Gap，WBG）”。高禁带宽度的好处是，器件耐高压、耐高温，并且功率大、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。但参数的优异并不意味着半导体材料一代更比一代好。事实上，一、二、三代半导体材料各有其适合的应用范畴，在未来很长的时间中，这三代半导体材料还将共存。