实验室设备装卸搬运实验室设备安装移入搬迁

实验室设备装卸搬运实验室设备安装移入搬迁的亚瑟报道：IBM 和三星声称他们在半导体设计方面取得了突破。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍在旧金山 IEDM 会议的第一天，两家公司公布了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计。对于当前的处理器和 SoC，晶体管平放在硅表面上，然后电流从一侧流向另一侧。相比之下，垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 彼此垂直，电流垂直流动。据 精‌密‍设‌备‍搬‌运‍和三星称，这种设计有两个优点。首先，它将允许他们绕过许多性能限制，将摩尔定律扩展到 1 纳米阈值之外。更重要的是，由于电流更大，该设计减少了能源浪费。他们估计 VTFET 将使处理器的速度比采用 FinFET 晶体管设计的芯片快两倍，功耗降低 85%。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍BM 和三星声称，这一过程可能有朝一日允许手机一次充电使用整整一周。他们表示，它还可以使某些能源密集型任务（包括加密采矿）更加节能，因此对环境的影响较小。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍ 和三星尚未透露他们计划何时将该设计商业化。他们并不一家试图突破 1 纳米屏障的公司。英特尔在七月曾表示，它的目标是到 2024 年完成埃级芯片的设计。该公司计划使用其新的“英特尔 20A”节点和 RibbonFET 晶体管来完成这一壮举。精‌密‍设‌备‍搬‌运‍半导体工艺上，台积电目前是无可争议的老大，Q3季度占据全然53%的晶圆代工份额，三星位列第二，但份额只有台积电的1/3，所以三星下一代工艺，包括3nm及未来的2nm工艺。根据三星的计划，3nm工艺会放弃FinFET晶体管技术，转向GAA环绕栅极，3nm工艺上分为两个版本，其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。