实验室搬迁经验,仪器拆卸安装实施方案

实验室搬迁经验,仪器拆卸安装实施方案的亚瑟报道：半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍存储器的发展取决于应用场景的变化，当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求，新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐渐受到市场重视。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍近日，英飞凌官方消息称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（RRAM），而不是嵌入式闪存（eFlash），并将在台积电的28纳米节点上制造。当前，英飞凌基于台积电28纳米eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器样品已经交付给主要客户，其基于台积电28纳米RRAM技术的半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍样品将于2023年底提供给客户。英飞凌表示，Autrix TC4x系列微控制器专为ADAS而设计，可提供新的E/E架构和经济实惠的AI应用。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍公开资料显示，嵌入式闪存微控制器自推出半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍发动机管理系统以来，就被用作汽车中的ECU，市场上大多数MCU系列都基于eFlash技术，但该技术一直在努力迁移到28纳米以下，并且业界认为其效率低于RRAM。英飞凌认为，与台积电的合作成功奠定了RRAM在汽车领域的基础，并使其Autrix系列微控制器具有更广泛的供应基础。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍在新型存储器中，RRAM不仅满足高读写速度和存储密度的要求，同时延迟可降低1000倍，可满足未来智能驾驶高实时数据吞吐量。安全性方面，RRAM具备可靠性，未来有望出现高性能、高集成度、高稳定性和低功耗的车规RRAM存储器。半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍英飞凌声称，台积电提供的带有RRAM的Aurix微控制器将提供更高的抗扰度，半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍并允许按位写入而无需擦除，从而实现优于嵌入式闪存的性能。英飞凌表示，循环耐力和数据保留与闪存相当。台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang表示，台积电和英飞凌已经在一系列不同应用中就RRAM技术进行了近十年的合作，半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍将TC4x迁移到RRAM将为在微控制器缩小到更小的节点方面开辟新的机遇。目前，台积电的非易失性存储器解决方案包括闪存、自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。该代工厂还在探索相变RAM（PCRAM）和自旋轨道扭矩MRAM（SOT-MRAM）技术。据半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍悉，台积电2018年开始量产汽车用40纳米eFlash技术，但其40纳米超低功耗嵌入式RRAM技术，半‍导‌体‍设‌备‍搬‌运‍完全兼容CMOS工艺，已于2017年底进入风险生产。2021年，台积电代工厂的40纳米RRAM技术成功进入量产，28纳米和22纳米节点也可作为物联网市场的低成本解决方案。